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本文標(biāo)題:"電阻測量應(yīng)在比測量較低純度樣品更低溫度下進(jìn)行"

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電阻測量應(yīng)在比測量較低純度樣品更低溫度下進(jìn)行

 
測量電阻率以便電子在外表而上的散射并不導(dǎo)致電阻率的明
顯增加.電阻測量應(yīng)該在比測量較低純度樣品更低的溫度下
進(jìn)行。這是因?yàn)殡s質(zhì)對電阻率的貢獻(xiàn)是測量到的電阻率值減
去由于熱激發(fā)引起的電阻率.在液氫溫度下,“理想”電阻
率在高純鋁總電阻率中僅是一個(gè)小部分,但它在區(qū)熔提純鋁
中變得非常重要.為了避免純度貢獻(xiàn)上由此所導(dǎo)致的大的誤
差,測量在液氮溫度下進(jìn)行,理想電阻率與殘留電阻率相比
因而很小。
 
    電阻率測量確定純度也已成功地應(yīng)用于其它金屬。對子
銅來說,如果在適當(dāng)條件一「進(jìn)行退火,特別是應(yīng)防止導(dǎo)致電
阻率很大改變的氧的存在,那么這個(gè)方法是靈敏的,并確實(shí)
給出了好的結(jié)果。
 
    除了測定純度外,電阻率測量在物理金屬學(xué)中還得到了
其它應(yīng)用.例如雜質(zhì)在點(diǎn)陣中不同位置對電阻率有不同影響
就被用來研究沉淀.純金屬中來自雜質(zhì)的電阻率很小,因而
低溫電阻率可以靈敏地鑒定點(diǎn)陣缺陷的存在.
 
    總之,用低溫電阻率測量研究純金屬,由于能快速測定
雜質(zhì)總量,因而是一個(gè)很有成果的方法.但得出的是半定量
的結(jié)果,這些結(jié)果應(yīng)該與分析數(shù)據(jù)相比較,而分析方法是測
定每種存在雜質(zhì)的濃度的唯一方法。
 

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